ثبت اختراعی دیگر از محققان دانشگاه سمنان در حوزه برق

به گزارش برق نیوز بع نقل از پانا، داود معروفی مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، فاطمه کریمی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88721 به ثبت رسید.

دکتر اروجی در توضیح این اختراع گفت: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی باله ای شکل با تکنولوژی سیلیسیم بر روی عایق ارائه شده و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی که دارد، کاندیدای مناسبی برای ساخت ترانزیستور با تکنولوژی ذکر شده پیشنهاد می شود.
وی افزود: در این ساختار از دو راه کار همزمان باریک کردن قسمت بالایی کانال و گستردگی مدور سمت پایینی کانال استفاده شده و با این نوع اصلاح اثرخودگرمایی، اثرات کانال کوتاه، اثر حاملهای داغ، قابلیت اطمینان به ساختار، طول عمر، سرعت افزاره و بدنبال آن ولتاژ شکست ساختار بطور همزمان بهبود یافته است.