مدار‌های اسیلاتور کریستالی در حالت کلی، بر اساس ترانزیستور‌های دوقطبی یا FET ساخته می‌شوند. زیرا اگرچه می‌توان از تقویت‌کننده‌های عملیاتی در مدار‌های اسیلاتور با فرکانس پایین‌تر از ۱۰۰ kHz نیز استفاده کرد، اما تقویت‌کننده‌های عملیاتی پهنای باند لازم برای عملکرد در فرکانس‌های بالاتر از ۱ MHz را ندارند. در این بازه فرکانسی، از کریستال استفاده میشود.
کد خبر: ۳۷۱۴۹ تاریخ انتشار : ۱۳۹۷/۱۲/۱۶