اختراع روش نوین "اندازه گیری میدان الکتریکی و مغناطیسی ناشی از سیم پیچ ترانسفورماتور"

به گزارش برق نیوز، این طرح برای اولین بار در دنیا مطرح شده و به صورت ثبت اختراع با طبقه بندی بین المللی H01F ( بالاترین رده در الکتریسیته) H03B ;G01B;به شماره 85849 و تاریخ 12 خرداد ماه 94 در مرکز مالکیت معنوی سازمان ثبت اسناد و املاک کشور، با راهنمایی دکتر گیورک بابا ملک قره پتیان(مالک اختراع) و با همکاری و مشارکت مهندس رحیم حیدری نظر(مخترع و مالک اختراع) و مهندس آیت اله حیدری نظر(مالک اختراع) به ثبت رسیده است.

ترانسفورماتورها  نقش كليدي و موثری در حفظ پايداري و قابليت اطمينان شبكه قدرت دارند به همین دلیل تعمير ، نگهداري  و پیشگیری از عیوب آنها از اهميت بالايي برخوردار است.

تا کنون روش­هاي مختلفی برای شناسايي عيوب مكانيكي سيم‌پيچي­هاي ترانسفورماتور ارائه شده است. در اکثر این روش­ها آزمایش­های لازم بعد از خارج کردن ترانسفورماتور از مدار صورت مي­گيرد. بنابراین این روش­ها، روش­های خارج خط هستند. به منظور کاهش زمان خارج از مدار بودن ترانسفورماتور، طراحي روش­هاي برخط اهميت ويژه­اي دارد. ازروش نوین مطرح شده در این طرح می توان برای مانیتورینگ ترانسفورماتور به صورت برخط استفاده کرد چرا که نیازی به خارج شدن ترانسفورماتور از مدار نیست.

گفتنی است در این روش چگالی میدان مغناطیسی و شدت میدان الکتریکی در نقاط اطراف سیم پیچ قبل و بعد ازجابجایی اندازه گیری می شود. تفاوت بین این دو اندازگیری (به راحتی با کمک سنسور قابل تشخیص است) و پردازش آن، نشان دهنده جابجایی سیم پیچ آن است. لازم به ذکر است یافتن نقطه نصب سنسور اهمیت ویژه ای دارد و از نقاط قوت این طرح به شمار می آید .

از دیگر مزایای به کار گیری سیستم های برخط، می توان به افزايش قابليت اطمينان، كاهش ضرر ناشي از انرژي توزيع نشده، كاهش هزينه هاي تعمير و نگهداري، بهره برداري بهينه از ظرفيت ترانسفورماتور و افزايش طول عمر ترانسفورماتور اشاره کرد.