شار نشتی

 هنگامی که بار‌های الکتریکی در یک رسانا جابه جا می‌شوند، در اطراف آن رسانا میدان مغناطیسی تشکیل می‌شود که به میزان عبور خطوط میدان از یک سطح شار مغناطیسی گفته می‌شود. عناصر مغناطیسی مانند سلف و ترانسفورماتور به واسطه میدان مغناطیسی خود ویژگی‌های منحصر به فردی در مدار ایجاد می‌کنند. در این میان ترانسفورماتور‌ها به دلیل اهمیت آن‌ها در مدار بسیار مورد توجه هستند. ترانسفورماتور‌ها از دو یا چند سیم پیچ تشکیل شده اند که عبور شار مغناطیسی از یکی از سیم پیچ‌های آن به عبور شار و ایجاد جریان در سیم پیچ‌های دیگر منجر می‌شود. در حالت ایده آل تمام شار‌های مغناطیسی تولیدی توسط سیم پیچ اول باید از سیم پیچ دوم نیز عبور کند. در این حالت ترانسفورماتور رفتار واقعی خود که تغییر سطح ولتاژ است را تمام و کمال و بدون تغییر و تاخیر در شکل موج ورودی انجام می‌دهد. اما در عمل این گونه نیست. مقداری از شار تولیدی توسط سیم پیچ اولیه از سیم پیچ ثانویه عبور نمی‌کند و مسیر خود را از طریق دیگری مانند هوا می‌بندد. به این شار‌ها شار نشتی گفته می‌شود. در مدار معادل ترانسفورماتور رفتار این شار را با یک اندوکتانس سری با ترانسفورماتور مدل می‌کنند.

گرچه شار نشتی در واقع یک شار ناخواسته است و باعث ایجاد افت ولتاژ در مدار، تغییر شکل موج ولتاژ ورودی به ترانسفورماتور و کاهش ضریب توان مدار می‌شود، در برخی مدار‌ها از این سلف ناخواسته جهت برخی ویژگی‌های مداری استفاده می‌شود. به عنوان مثال جهت فیلتر ولتاژ ورودی ترانسفورماتور، ایجاد طبقه رزونانسی و کلیدزنی نرم در اینورتر قبل از ترانسفورماتور یا ایجاد منبع جریان از این سلف استفاده می‌شود. مقدار این سلف به تعداد دور سیم پیچ‌های ترانسفورماتور و ساختار و ابعاد فیزیکی آن وابسته است؛ بنابراین با کنترل این پارامتر‌ها می‌توان مقدار سلف نشتی را تنظیم نمود.