بهبود راندمان سلول خورشیدی با استفاده از چاه‌های کوانتومی + فایل pdf
سلول‌های خورشیدی مبتنی بر GaAs (گالیوم-آرسناید) به دلیل بازدهی بالاتر و مقاومت بیشتر در مقابل تابش‌های کیهانی و گرما اهمیت بالایی دارند. برای افزایش راندمان سلول‌های خورشیدی مبتنی بر گالیوم-آرسناید استفاده از چاه‌های کوانتومی را به عنوان یک پارامتر کلیدی و تاثیرگذار مورد مطالعه قرار میدهند.
سرویس علمی برق نیوز: در طی سالیان اخیر سلول‌های خورشیدی به عنوان منابع انرژی پاک و تجدیدپذیر از اهمیت ویژ‌های برخوردار شده اند. در این میان سلول‌های خورشیدی مبتنی بر GaAs (گالیوم-آرسناید) به دلیل بازدهی بالاتر و مقاومت بیشتر در مقابل تابش‌های کیهانی و گرما اهمیت بالایی دارند. برای افزایش راندمان سلول‌های خورشیدی مبتنی بر گالیوم-آرسناید استفاده از چاه‌های کوانتومی را به عنوان یک پارامتر کلیدی و تاثیرگذار مورد مطالعه قرار میدهند.
استفاده از ساختار چاه کوانتومی در ناحیه ذاتی سلول‌های خورشیدی سبب جذب طول موج‌های بالاتر و در نتیجه جریان دهی نوری بیشتری نسبت به سلول‌های خورشیدی تک گافی میشود. هر چه چاه‌های کوانتومی عمیقتر باشند، تراز‌های انرژی و تعداد الکترون‌های قرار گرفته روی آن‌ها بیشتر شده، در نتیجه جریان دهی افزاره افزایش می‌یابد. بنابراین با افزایش ناخالصی لایه BSF و تغییر ضخامت‌ها به بازده ۳۲/۹۷ % برای سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Ge رسیدیم و همچنین با استفاده از ۱۱ چاه کوانتومی InAs با ضخامت ۵ نانومتر و ۱۰ سد کوانتومی GaAs با ضخامت ۵ نانومتر به بازده ۳۴/۸۹% دست یافتیم.
این مقاله توسط غزاله فیاضی و جواد کرمدل از گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب منتشر شده است.
برای دانلود فایل pdf روی لینک زیر کلیک کنید.
از ارسال دیدگاه های نا مرتبط با متن خبر، تکرار نظر دیگران، توهین به سایر کاربران و ارسال متن های طولانی خودداری نمایید.
لطفا نظرات بدون بی احترامی، افترا و توهین به مسئولان، اقلیت ها، قومیت ها و ... باشد و به طور کلی مغایرتی با اصول اخلاقی و قوانین کشور نداشته باشد.
در غیر این صورت، «برق نیوز» مطلب مورد نظر را رد یا بنا به تشخیص خود با ممیزی منتشر خواهد کرد.