سلولهای خورشیدی مبتنی بر GaAs (گالیوم-آرسناید) به دلیل بازدهی بالاتر و مقاومت بیشتر در مقابل تابشهای کیهانی و گرما اهمیت بالایی دارند. برای افزایش راندمان سلولهای خورشیدی مبتنی بر گالیوم-آرسناید استفاده از چاههای کوانتومی را به عنوان یک پارامتر کلیدی و تاثیرگذار مورد مطالعه قرار میدهند.